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HSD128M72B9K-10L 参数 Datasheet PDF下载

HSD128M72B9K-10L图片预览
型号: HSD128M72B9K-10L
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内容描述: 同步DRAM模块1024MByte。点击( 128Mx72Bit ) , 8K参考, 3.3V无缓冲ECC SO- DIMM , [Synchronous DRAM Module 1024Mbyte (128Mx72Bit), 8K Ref., 3.3V ECC Unbuffered SO-DIMM,]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
CAS
latency=2
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CAS
CLK到输出
在高阻
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
latency=3
CAS
latency=2
t
SHZ
-
-
6
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
-
2.5
2.5
1.5
0.8
1
5.4
-
3
3
2
1
1
6
3
3
3
2
1
1
6
3
3
3
2
1
1
HSD128M72B9K
ns
ns
ns
ns
ns
6
7
ns
ns
3
3
3
3
3
2
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿应该考虑,即, [ ( TR + TF ) / 2-1 ] ns的应加
的参数。
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
刷新
条目
出口
CKE
n-1
H
H
L
H
H
CKE
n
X
H
L
H
X
X
/ CS
L
L
L
H
L
L
/ RAS / CAS / WE DQM
L
L
H
X
L
H
L
L
H
X
H
L
L
H
H
X
H
H
X
X
X
X
X
V
V
BA0,1
A10/AP
操作码
X
X
行地址
L
H
COLUMN
地址
(A0 ~ A9)
COLUMN
自动预充电禁用
自动预充电禁用
突发停止
预充电
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
出口
H
H
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
L
L
H
L
X
H
L
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
X
X
X
X
V
X
韩光电器有限公司。
A11,A12,
A9~A0
1,2
3
3
3
3
4
4,5
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
写&
COLUMN
地址
自动预充电禁用
自动预充电禁用
H
X
L
H
L
L
X
V
L
H
X
地址
(A0 ~ A9)
4
4,5
6
V
X
L
H
X
X
时钟暂停或
主动关机
预充电电源
Down模式
DQM
网址:
www.hbe.co.kr
REV.0.0 ( 2003年1月)。
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8