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HSD128M72B9K-F10L 参数 Datasheet PDF下载

HSD128M72B9K-F10L图片预览
型号: HSD128M72B9K-F10L
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内容描述: 同步DRAM模块1024MByte。点击( 128Mx72Bit ) , 8K参考, 3.3V无缓冲ECC SO- DIMM , [Synchronous DRAM Module 1024Mbyte (128Mx72Bit), 8K Ref., 3.3V ECC Unbuffered SO-DIMM,]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD128M72B9K
同步DRAM模块1024MByte。点击( 128Mx72Bit ) , 8K参考, 3.3V
无缓冲ECC SO- DIMM ,
产品型号HSD128M72B9K
概述
该HSD128M72B9K是128M X 72位同步动态RAM的高密度内存模块。该模块
由九个CMOS 128M ×8位与144引脚玻璃 - 在TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM
环氧基板。一个或两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板在平行于各
SDRAM 。该HSD128M72B9K是一个SO- DIMM (小型双重内嵌式内存模块) ,并打算安装
到144针边缘连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O
交易可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许相同
装置可用于各种高带宽是有用的,高性能存储系统的应用程序的所有模块组件
可以从一个单一的3.3V直流电源供电,所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
JEDEC标准的3.3V电源
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 8192周期/ 64ms的)
LVTTL与复用地址兼容
独立的电源层和接地层,以提高免疫力
身高: 1.250英寸
MRS周期与解决关键程序
- CAS延迟( 2 & 3 )
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为16M X 8bit的X 4Banks同步DRAM
部分鉴定
HSD128M72B9K -F / 10L : 100MHz的(CL = 3)的
HSD128M72B9K -F / 10:为100MHz (CL = 2)的
HSD128M72B9K -F / 12:为125MHz (CL = 3)的
HSD128M72B9K -F / 13: 133MHz的(CL = 3)的
** F表示自动&自我更新,具有低功耗( 3.3V )
网址:
www.hbe.co.kr
REV.0.0 ( 2003年1月)。
1
韩光电器有限公司。