韩光
HSD16M32D4
同步DRAM模块64Mbyte ( 16Mx32位) , 100PIN DIMM ,
4Banks , 8K参考, 3.3V
产品型号HSD16M32D4
概述
该HSD16M32D4是16M ×32位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
4 CMOS 2M ×16位x 4banks一个100引脚的玻璃环氧树脂基板TSOP- II封装400mil同步DRAM 。
两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该HSD16M32D4
是一个DIMM (直插内存模块双),并适用于安装到100针边缘连接器插座。同步
设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。 I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率,可编程延迟允许相同的设备,以针对各种不同的高带宽,高有用
高性能内存系统的所有应用模块组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电
和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
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部分鉴定
HSD16M32D4-10 :为100MHz (CL = 2)的
HSD16M32D4-10L :为100MHz (CL = 3)的
HSD16M32D4-12 : 125MHz的( CL = 3 )
HSD16M32D4-13 : 133MHz的( CL = 3 )
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突发模式工作
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自动&自我刷新能力( 8192周期/ 64ms的)
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LVTTL兼容的输入和输出
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3.3V单电源
±0.3V
电源
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MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
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所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
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所用设备为4M X 16位X 4Banks SDRAM
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韩光电器有限公司。