韩光
HSD16M32M4V
基于同步DRAM模块64Mbyte （ 16M ×32位）， 72引脚SIMM
16Mx8 ， 4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号
HSD16M32M4V
概述
该HSD16M32M4V是16M ×32位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
四的CMOS 4M ×8位，且在安装在72引脚的TSOP -II封装4banks同步DRAM中， FR-4印刷
电路板。两个0.01uF的去耦电容器安装在印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD16M32M4V是设计了SIMM 。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O
交易可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许相同
器件可用于各种高带宽，高性能的存储系统应用的所有有用的模块
组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电，所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
•
部分鉴定
HSD16M32M4V -13 / F13 ： 133MHz的（CL = 3）的
HSD16M32M4V -12 / F12： 125MHz的（CL = 3）的
HSD16M32M4V -10 / F10：为100MHz （CL = 2）的
HSD16M32M4V - 10L / F10L ： 100MHz的
HSD16M32M4V - 66 / F66 ： 66MHz的（ CL = 2&3 ）
F表示自动&自我更新，具有低功耗（ 3.3V ）
•
突发模式工作
•
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
•
LVTTL兼容的输入和输出
•
3.3V单电源
±0.3V
电源
•
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
•
所有的输入进行采样，正边沿
系统时钟的
•
FR4 - PCB设计
•
所使用的设备是KM48S16030AT
•
引脚分配兼容
- HSD8M32M4V
- HSD32M32M4V
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
引脚分配
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM0
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ14
DQ15
DQM1
NC
/ WE
/ CAS
VCC
/ RAS
/CS0
NC
NC
CLK0
CKE0
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM2
VCC
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
A5
A6
A7
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM3
NC
A10/AP
A11
NC
VCC
BA0
BA1
NC
NC
VSS
72 -PIN SIMM TOP VIEW
网址：
www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
-1-
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
