韩光
HSD16M64D16A
同步DRAM模组128Mbyte ( 16Mx64bit ) , DIMM的基础上
8Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号HSD16M64D16A
概述
该HSD16M64D16A是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
十六CMOS 8M ×8位与TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM和2K EEPROM采用8引脚
TSSOP封装在一个168引脚的玻璃环氧树脂。两个0.33uF -去耦电容器被安装在所述印刷电路板
平行每个SDRAM 。该HSD16M64D16A是一个DIMM (双列直插式内存模块),并打算安装
到168针边缘连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O
交易可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许相同
器件可用于各种高带宽,高性能的存储系统应用的所有有用的模块
组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电,所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
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部分鉴定
HSD16M64D16A -F / 10L : 100MHz的(CL = 3)的
HSD16M64D16A -F / 10:为100MHz (CL = 2)的
HSD16M64D16A -F / 12:为125MHz (CL = 3)的
HSD16M64D16A -F / 13: 133MHz的(CL = 3)的
F表示自动&自我更新,具有低功耗( 3.3V )
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突发模式工作
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自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
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LVTTL兼容的输入和输出
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3.3V单电源
±0.3V
电源
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MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
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所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
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所用设备为8M X 8位X 4Banks SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV 1.0 ( August.2002 )
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韩光电器有限公司