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    HSD16M64D8A 参数 Datasheet PDF下载

    HSD16M64D8A图片预览
    型号： HSD16M64D8A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模组128Mbyte （ 16Mx64bit ） ， DIMM基于16Mx8 ， 4Banks ， 4K参考， 3.3V [Synchronous DRAM Module 128Mbyte (16Mx64bit),DIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 84 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HSD16M64D8A的Datasheet PDF文件第10页  
    韩光
    AC特性
    （交流工作条件，除非另有说明）
    Symbo
    参数
    L
    CLK周期时间
    CAS
    7.5
    latency=3
    t
    CC
    CAS
    -
    latency=2
    CLK为有效
    输出延迟
    CAS
    5.4
    latency=3
    t
    SAC
    CAS
    -
    latency=2
    输出数据
    保持时间
    CAS
    2.7
    latency=3
    t
    OH
    CAS
    -
    latency=2
    CLK高脉冲宽度
    CLK低脉冲宽度
    输入建立时间
    输入保持时间
    CLK到输出中低Z
    CLK到输出
    在高阻
    CAS
    5.4
    latency=3
    t
    SHZ
    CAS
    -
    latency=2
    注意事项：
    1.参数取决于编程CAS延迟。
    2.如果时钟上升时间长于1ns的， （文/ 2-0.5 ）纳秒应该被添加到该参数。
    3.假设输入的上升和下降时间（tr & TF） = 1ns的。
    如果TR & TF长于1ns的，短暂的时间补偿，应考虑
    即， [ （文+ TF） / 2-1]纳秒应该被添加到该参数。
    -
    6
    6
    6
    t
    CH
    t
    CL
    t
    SS
    t
    SH
    t
    SLZ
    2.5
    2.5
    1.5
    0.8
    1
    3
    3
    2
    1
    1
    3
    3
    2
    1
    1
    -
    3
    3
    3
    -
    6
    6
    6
    -
    10
    1000
    1000
    1000
    8
    10
    民
    最大
    民
    最大
    民
    最大
    -13
    -12
    -10
    HSD16M64D8A
    -10L
    单位
    民
    10
    1000
    12
    ns
    1
    最大
    记
    6
    ns
    7
    1,2
    3
    ns
    3
    3
    3
    2
    1
    1
    6
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    3
    3
    3
    3
    3
    2
    2
    7
    ns
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0 （ August.2002 ）
    -8
    -
    韩光电器有限公司。

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