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HSD16M64D8H 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSD16M64D8H
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内容描述: 同步DRAM模组128Mbyte ( 16Mx64bit ) , DIMM基于16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 128Mbyte (16Mx64bit), DIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 91 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD16M64D8H
同步DRAM模组128Mbyte ( 16Mx64bit )的基础上, 16Mx8 DIMM ,
4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号HSD16M64D8H
概述
该HSD16M64D8H是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
CMOS 4M ×8位与上一个168针的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD16M64D8H是一个DIMM (双列直插式内存模块),并适用于安装到168针边缘连接器
插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O事务是可能的
每个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能存储系统的应用程序的所有模块的组件可以由一个供电
单3.3V直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD16M64D8H -10:为100MHz (CL = 2)的
HSD16M64D8H -10L : 100MHz的(CL = 3)的
HSD16M64D8H -13: 133MHz的(CL = 3)的
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
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韩光电器有限公司。