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HSD16M64D8H 参数 Datasheet PDF下载

HSD16M64D8H图片预览
型号: HSD16M64D8H
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内容描述: 同步DRAM模组128Mbyte ( 16Mx64bit ) , DIMM基于16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 128Mbyte (16Mx64bit), DIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 91 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
输出数据
保持时间
CAS
2.7
latency=3
t
OH
CAS
-
latency=2
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
CAS
5.4
latency=3
t
SHZ
CAS
-
latency=2
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿,应考虑
即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到该参数。
6
6
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
2.5
2.5
1.5
0.8
1
3
3
2
1
1
3
3
2
1
1
3
3
3
3
HSD16M64D8H
ns
2
ns
ns
ns
ns
ns
6
ns
3
3
3
3
3
2
7
ns
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
refres
h
AUTO
关闭
AUTO
关闭
AUTO
关闭
AUTO
启用
突发停止
PRECHARG
e
银行的选择
所有银行
条目
出口
H
H
H
L
X
X
L
H
L
L
H
L
X
L
L
X
V
X
H
H
X
V
X
L
L
X
V
X
X
X
X
X
韩光电器有限公司。
CKE
n-1
H
H
L
H
CKE
n
X
H
L
H
X
/C
S
L
L
L
H
L
/R
A
S
L
L
H
X
L
/C
A
S
L
L
H
X
H
/W
E
L
H
H
X
H
D
Q
M
X
X
X
X
BA
0,1
A10/
AP
操作码
X
X
A11
A9~A0
1,2
3
3
3
3
条目
出口
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
预充电
预充电
V
行地址
L
COLUMN
地址
H
(A0 ~ A9)
COLUMN
L
地址
(A0 ~ A9)
H
X
4,5
6
X
4
4,5
4
H
X
L
H
L
H
X
V
写&
COLUMN
地址
预充电
H
预充电
X
L
H
L
L
X
V
V
X
L
H
X
时钟暂停或
主动关机
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
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