韩光
HSD16M64F8V/VA
同步DRAM模块， 128Mbyte （ 16M ×64位） SMM基于16Mx8
4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号
HSD16M64F8V/VA
概述
该HSD16M64F8V / VA是16M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块
由八个CMOS 4M ×8位带中的TSOP -II的包同步的DRAM安装在一个120引脚的4banks ，
双面FR- 4印刷电路板。 ，两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板
平行每个SDRAM 。该HSD16M64F8V / VA是SMM （可堆叠存储器模块）的设计和面向
装成两个60针连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。
I / O事务处理可在每个时钟周期。工作频率范围，可编程延迟允许
同样的装置可用于各种高带宽，高性能的存储系统应用的所有有用的模块
组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电，所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
•
部分鉴定
针
符号
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VCC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VCC
DQM4
DQM5
NC
CKE0
CKE1
VCC
NC
NC
/CE2
NC
VCC
引脚分配
60 -PIN P1连接器
针
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
DQM0
DQM1
/ WE
CLK0
CLK1
VSS
/ CAS
/ RAS
/CE0
NC
VSS
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
60引脚连接器P2
符号
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
DQM2
DQM3
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VSS
针
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
VCC
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
VCC
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VCC
DQM6
DQM7
NC(A12)
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VCC
HSD16M64F8V ：
堆码高度（ T = 11.3毫米）
HSD16M64F8VA ：
堆码高度（ T = 7.3毫米）
•
突发模式工作
•
自动&自我刷新能力（ 4K周期/ 64ms的）
•
LVTTL兼容的输入和输出
•
3.3V单电源
±0.3V
电源
•
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
•
所有的输入进行采样，正边沿
系统时钟的
•
120pin - SMM型FR-4 PCB设计
•
所使用的设备是16Mx8bit SRAM
•
引脚分配兼容
- HSD8M64F8V
- HSD32M64F8V
堆叠式内存模块TOP VIEW
网址：
www.hbe.co.kr
REV.1.0 （ August.2002 ）
韩光电器有限公司。
1
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
