韩光
HSD16M72D18A
同步DRAM模组128Mbyte （ 16Mx72bit ）的基础上，与DIMM ECC
8Mx8 ， 4Banks ， 4K参考， 3.3V
产品型号HSD16M72D18A
概述
该HSD16M72D18A是16M X 72位同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
十八CMOS 8M ×8位与TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM和2K EEPROM采用8引脚
TSSOP封装在一个168引脚的玻璃环氧树脂。两个0.33uF -去耦电容器被安装在所述印刷电路板
平行每个SDRAM 。该HSD16M72D18A是一个DIMM （双列直插式内存模块），并打算安装
到168针边缘连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O
交易可能在每一个时钟周期。的工作频率，可编程延迟范围允许相同
器件可用于各种高带宽，高性能的存储系统应用的所有有用的模块
组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电，所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
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部分鉴定
HSD16M72D18A -F / 10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD16M72D18A -F / 10：为100MHz （CL = 2）的
HSD16M72D18A -F / 12：为125MHz （CL = 3）的
HSD16M72D18A -F / 13： 133MHz的（CL = 3）的
HSD16M72D18A -F / 13H ： 133MHz的（CL = 2）的
F表示自动&自我更新，具有低功耗（ 3.3V ）
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突发模式工作
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自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
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LVTTL兼容的输入和输出
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3.3V单电源
±0.3V
电源
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MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
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所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
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所用设备为8M X 8位， 4Banks SDRAM
网址： www.hbe.co.kr
REV 1.0 （ August.2002 ）
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韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
