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HSD32M32M4V-F12 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M32M4V-F12图片预览
型号: HSD32M32M4V-F12
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内容描述: 同步DRAM模组128Mbyte ( 32M ×32位), 72引脚SIMM基于32Mx8 , 4Banks , 8K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 128Mbyte ( 32M x 32-Bit ) 72-Pin SIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
分类和应用: 存储动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 83 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD32M32M4V
基于同步DRAM模组128Mbyte ( 32M ×32位), 72引脚SIMM
32Mx8 , 4Banks , 8K参考, 3.3V
产品型号HSD32M32M4V
概述
该HSD32M32M4V是32M ×32位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
四的CMOS 8M ×8位,且在安装在72引脚的TSOP -II封装4banks同步DRAM中, FR- 4印刷电路
板。两个0.01uF的去耦电容器安装在印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD32M32M4V是设计了SIMM 。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O
交易可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许相同
装置可用于各种高带宽是有用的,高性能存储系统的应用程序的所有模块组件
可以从一个单一的3.3V直流电源供电,所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD32M32M4V -13 / F13 : 133MHz的(CL = 3)的
HSD32M32M4V -12 / F12: 125MHz的(CL = 3)的
HSD32M32M4V -10 / F10:为100MHz (CL = 2)的
HSD32M32M4V - 10L / F10L : 100MHz的
F表示自动&自我刷新低
电源( 3.3V )
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 8192周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样,正边沿
系统时钟的
FR4 - PCB设计
72引脚封装的SIMM
所使用的设备是8Mx8bitx4Bank SRAM
引脚分配兼容
- HSD8M32M4V
- HSD16M32M4V
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引脚分配
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
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DQ7
DQM0
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
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符号
DQ14
DQ15
DQM1
NC
/ WE
/ CAS
VCC
/ RAS
/CS0
NC
NC
CLK0
CKE0
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM2
VCC
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符号
A5
A6
A7
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM3
NC
A10/AP
A11
A12
VCC
BA0
BA1
NC
NC
VSS
72 -PIN SIMM TOP VIEW
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
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韩光电器有限公司