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    HSD32M64B8A-10L 参数 Datasheet PDF下载

    HSD32M64B8A-10L图片预览
    型号： HSD32M64B8A-10L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模组256Mbyte （ 32Mx64Bit ） ， SO -DIMM ， 4Banks ， 8K参考， 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx64Bit), SO-DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 存储动态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 91 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD32M64B8A-10L的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    HSD32M64B8A
    直流工作条件
    （推荐的操作条件（电压引用到VSS = 0V ， TA = 0〜70 ℃））
    参数
    电源电压
    输入高电压
    输入低电压
    输出高电压
    输出低电压
    符号
    VCC
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    V
    OL
    民
    3.0
    2.0
    -0.3
    2.4
    -
    典型值。
    3.3
    3.0
    0
    -
    -
    最大
    3.6
    Vcc+0.3
    0.8
    -
    0.4
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    1
    2
    I
    OH
    = -2mA
    I
    OL
    = 2毫安
    3
    记
    输入漏电流
    I
    LI
    -10
    -
    10
    uA
    注意事项：
    1. V
    IH
    （最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
    ≤
    3ns.
    2. V
    IL
    （分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
    ≤
    3ns.
    3.任何输入0V
    ≤
    V
    IN
    ≤
    V
    DDQ
    .
    输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
    电容
    （ VCC = 3.3V ， TA = 23 ° C，F = 1MHz时， VREF = 1.4V
    ±
    200毫伏）
    描述
    时钟
    地址
    / RAS ， / CAS ， / WE ， / CS ， CKE ， DQM
    DQ （ DQ0 〜 DQ15 ）
    符号
    C
    CLK
    C
    添加
    C
    IN
    C
    OUT
    民
    2.5
    2.5
    2.5
    4.0
    最大
    4.0
    5.0
    5.0
    6.5
    单位
    pF
    pF
    pF
    pF
    DC特性
    （推荐的工作条件，除非另有说明， TA = 0〜70 ℃）下
    TEST
    参数
    符号
    条件
    突发长度= 1
    工作电流
    （一银行活动）
    I
    CC1
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    I
    O
    = 0毫安
    I
    CC2
    P
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =10ns
    CKE & CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =∞
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟）
    预充电待机电流在
    非掉电模式
    I
    CC2
    N
    CS *
    ≥
    V
    IH
    （ MIN）
    t
    CC
    =10ns
    128
    mA
    16
    mA
    16
    mA
    960
    960
    880
    880
    mA
    1
    -13
    -12
    -10
    -10L
    VERSION
    单位
    记
    预充电待机电流在
    掉电模式
    I
    CC2
    PS
    输入信号被改变
    在20ns的一次
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0(August.2002)
    5
    韩光电器有限公司。

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