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HSD32M64D8H-80 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M64D8H-80图片预览
型号: HSD32M64D8H-80
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) , DIMM基于32Mx8 , 4Banks , 8K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit),DIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 84 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
I
CC3
P
I
CC3
PS
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
=10ns
CKE&CLK
V
IL
(最大)
t
CC
=∞
CKE = V
IH
( MIN)
I
CC3
N
CS * ≥V
IH
( MIN)
t
CC
=10ns
240
48
HSD32M64D8H
在活动待机电流
掉电模式
mA
48
在活动待机电流
非掉电模式
(一银行活动)
输入信号被改变
在20ns的一次
CKE≥VIH (分钟)
mA
I
CC3
NS
CLK
≤VIL (最大值) ,
t
CC
=∞
200
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
工作电流
(突发模式)
I
CC4
第一阵
1,20
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
刷新当前
自刷新电流
I
CC5
I
CC6
t
RC
t
RC
(分钟)
CKE
0.2V
1,680
1,680
40
1,600
1,600
mA
mA
2
1,20
920
920
mA
1
注意事项:
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.除非另有注意到,输入摆幅级别CMOS (V
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
).
AC运行试验条件
(VCC = 3.3V
±
0.3V , TA = 0 〜70 ° C)
参数
交流输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
2.4/0.4
1.4
TR / TF = 1/1
1.4
SEE图。 2
单位
V
V
ns
V
+3.3V
V
tt
=1.4V
1200Ω
D
OUT
870Ω
50pF*
50Ω
D
OUT
Z0=50Ω
50pF
V
OH
(DC )= 2.4V时,我
OH
= -2mA
V
OL
( DC )= 0.4V时,我
OL
= 2毫安
(图1 )直流输出负载电路
(图2 ) AC输出负载电路
-6-
韩光电器有限公司。
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )