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HSD32M64D8KP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSD32M64D8KP
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) ,无缓冲DIMM与基于堆栈16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit),DIMM Unbuffered with Based on Stacked 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 29 页 / 813 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD32M64D8KP
同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) ,无缓冲DIMM与基于
叠16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号HSD32M64D8KP
概述
该HSD32M64D8KP是32M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
十六CMOS 16M ×8位(堆叠芯片)与168引脚TSOP -II封装400mil 4banks同步DRAM
玻璃环氧基板。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板在平行于各
SDRAM 。该HSD32M64D8KP是一个DIMM (双列直插式内存模块),并适用于安装到168针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的,高性能的存储器系统的应用程序的所有模块,组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD32M64D8KP
10L
HSD32M64D8KP
13
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
: 100MHz的(CL = 3)的
: 133MHz的(CL = 3)的
网址: www.hbe.co.kr
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韩光电器有限公司