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HSD32M64F8K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSD32M64F8K
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) , SMM ,基于on16Mx8,4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit), SMM, based on16Mx8,4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 202 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD32M64F8K
同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) , SMM ,基于
on16Mx8,4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号HSD32M64F8K
概述
该HSD32M64F8K是32M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
十六CMOS 16M ×8位与TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM和2K EEPROM采用8引脚
TSSOP封装在一个120引脚的玻璃环氧树脂。一0.22uF和2 0.0022uF去耦电容器被安装在
印刷电路板平行的每个SDRAM中。该HSD32M64F8K是SMM (可堆叠式内存模块
型) .Synchronous设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。 I / O事务是可能的
每个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许在同一个设备是一个有用
各种高带宽,高性能存储系统的应用程序的所有模块的组件可以由一个供电
单3.3V直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD32M64F8K :为100MHz (CL = 2)的
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
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韩光电器有限公司。