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HSD32M64F8R-10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSD32M64F8R-10
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) , SMM , 16Mx16 , 4Banks , 8K参考。 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit), SMM ,16Mx16, 4Banks, 8K Ref. 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 1745 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD32M64F8R
同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) , SMM , 16Mx16 ,
4Banks , 8K参考。 3.3V
产品型号HSD32M64F8R
概述
该HSD32M64F8R是32M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
of
CMOS 16M ×8位与TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM和2K EEPROM采用8引脚
TSSOP封装在一个120引脚的玻璃环氧树脂。三0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板
平行每个SDRAM 。该HSD32M64F8R是SMM (可堆叠式内存模块型) .Synchronous设计允许
精确的周期控制与利用系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。经营范围
频率,可编程延迟允许相同的设备,以针对各种不同的高带宽,高有用
高性能内存系统的所有应用模块组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电
和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD32M64F8R -10L : 100MHz的(CL = 3)的
HSD32M64F8R -10:为100MHz (CL = 2)的
HSD32M64F8R -13: 133MHz的(CL = 3)的
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 8K周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 16位X 4Banks SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002).
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韩光电器有限公司