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HSD32M64F8R-10 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M64F8R-10图片预览
型号: HSD32M64F8R-10
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64bit ) , SMM , 16Mx16 , 4Banks , 8K参考。 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx64bit), SMM ,16Mx16, 4Banks, 8K Ref. 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 30 页 / 1745 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD32M64F8R
注意事项:
1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间和所需要的最小时间来确定
然后四舍五入到下一个较大整数。
2.最小的延迟才能完成写操作。
3.所有部件,使每一个周期的列地址的变化。
4.如遇行预充电中断,自动预充电和读取突发停止。
0.5 。对于-1H / 1L , TRDL = 1CLK和tDAL = 1CLK + 20ns的也支持。
(推荐: TRDL = 2CLK和tDAL = 2CLK + 20ns的。 )
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
-13
参数
CAS
7.5
CLK周期
时间
latency=3
t
CC
CAS
-
latency=2
CLK到
有效
产量
延迟
产量
latency=3
数据
CAS
保持时间
latency=2
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CAS
CLK到
latency=3
产量
CAS
在高阻
latency=2
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿,应考虑
即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到该参数。
-
7
7
ns
t
SHZ
5.4
6
7
ns
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
2.5
2.5
1.5
0.8
1
3
3
2
1
1
3.5
3.5
2.5
1.5
1
ns
ns
ns
ns
ns
3
3
3
3
2
3
3
t
OH
ns
2
CAS
5.4
latency=3
t
SAC
CAS
-
latency=2
CAS
2.7
3
3
7
7
ns
1,2
6
7
12
13
1000
1000
1000
ns
1
10
10
符号
最大
最大
最大
-10L
-10
单位
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002).
-8-
韩光电器有限公司