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HSD32M64B8W-13 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSD32M64B8W-13
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64位) , 144pin SO -DIMM , 4Banks , 8K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte(32Mx64-Bit), 144pin SO-DIMM, 4Banks, 8K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 88 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD32M64B8W
同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx64位) , 144pin SO -DIMM ,
4Banks , 8K参考, 3.3V
产品型号HSD32M64B8W
概述
该HSD32M64B8W是32M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
八CMOS 4M ×16位x 4banks一个144引脚的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil同步DRAM
基材。两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD32M64B8W是一个SO- DIMM (小型双重内嵌式内存模块) ,并适用于安装到144针的优势
连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的,高性能的存储器系统的应用程序的所有模块,组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD32M64B8W -10:为100MHz (CL = 2)的
HSD32M64B8W -10L : 100MHz的(CL = 3)的
HSD32M64B8W -12: 125MHz的(CL = 3)的
HSD32M64B8W -13: 133MHz的(CL = 3)的
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 8192周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 16位X 4Banks SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002)
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韩光电器有限公司。