韩光
HSD32M64B8W
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刷新
自
refres
h
AUTO
关闭
AUTO
关闭
AUTO
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AUTO
关闭
突发停止
PRECHARG
e
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
出口
H
H
H
L
H
L
H
H
X
H
L
X
X
L
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H
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L
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X
V
X
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
7
V
X
L
H
X
预充电
预充电
H
X
L
H
L
L
X
V
H
X
X
预充电
条目
出口
CKE
n-1
H
H
L
H
预充电
H
X
L
H
L
H
X
V
H
CKE
n
X
H
L
H
X
/C
S
L
L
L
H
L
/R
A
S
L
L
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L
/C
A
S
L
L
H
X
H
/W
E
L
H
H
X
H
D
Q
M
X
X
X
X
V
BA
0,1
A10/
AP
A11
A9~A0
记
1,2
3
3
3
3
COLUMN
地址
(A0 ~
A8)
COLUMN
写&
COLUMN
地址
L
地址
(A0 ~
A8)
4,5
6
4
操作码
X
X
行地址
L
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
4
4,5
时钟暂停或
主动关机
预充电电源
Down模式
DQM
没有操作命令
（V =有效，X =无关，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意事项：
1. OP代码：操作数代码
A0 〜 A12 & BA0 〜 BA1 ：程序键。 （ @太太）
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA0是"Low"和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果两个BA0是"High"和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
如果A10 / AP是"High"于行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
5.在突发读取或者自动预充电，无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿（写入DQM延迟为0） ，
但数据超出2 CLK周期后，使Hi-Z状态。 （读DQM延迟2 ）
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002)
9
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
