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    HSD32M72D18R-12N 参数 Datasheet PDF下载

    HSD32M72D18R-12N图片预览
    型号： HSD32M72D18R-12N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模组256Mbyte （ 32Mx72bit ） ，与DIMM ECC基于16Mx8 ， 4Banks ， 4K参考， 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), DIMM with ECC based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 12 页 / 177 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD32M72D18R-12N的Datasheet PDF文件第9页  
    韩光
    引脚功能说明
    针
    CLK
    / CE
    名字
    系统时钟
    芯片使能
    输入功能
    HSD32M72D18R
    活跃在正边沿采样所有输入。
    禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
    CLK ， CKE和DQM
    CKE
    时钟使能
    面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
    CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
    禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
    CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
    A0 ~ A11
    地址
    行/列地址被复用在相同的针。
    行地址： RA0 〜 RA11 ，列地址： CA0 〜 CA9
    BA0 〜 BA1
    银行选择地址
    选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
    在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
    / RAS
    行地址选通
    锁存与/ RAS低CLK的正边沿行地址。
    让行存取&预充电。
    / CAS
    COLUMN
    频闪
    地址
    锁存与/ CAS低CLK的正边沿列地址。
    启用列的访问。
    / WE
    写
    启用
    允许写操作和行预充电。
    锁存数据从/ CAS起， / WE活跃。
    DQM0 〜 7
    数据
    面膜
    输入/输出
    使得数据输出高阻，时钟和面具后输出tSHZ 。
    块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
    该器件工作在透明模式时，雷杰低。如果雷杰是
    高，则
    器件工作在注册模式。在注册模式中，地址和
    控制输入​​锁存如果CLK被保持在一个高或低逻辑电平。该输入是
    选通在CLK的riging边缘的闩锁/触发器。雷杰被连接到V
    DD
    通过10K欧姆PCB上的注册。因此，如果模块的REGE是浮动的，这个模块
    将经营作为registerd模式。
    雷杰
    注册启用
    DQ0 〜 63
    CB0~7
    WP
    数据输入/输出
    校验位
    写保护
    数据输入/输出复用在相同的针。
    校验位用于ECC 。
    WP引脚连接到VCC。
    当WP为
    “高” ，
    EEPROM编程将是抑制，而整个
    内存将被写保护。
    VDD / VSS
    动力
    电源/接地
    电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0 （ August.2002 ） 。
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    -
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