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HSD32M72D18R-10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSD32M72D18R-10
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx72bit ) ,与DIMM ECC基于16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), DIMM with ECC based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 177 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD32M72D18R
同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx72bit ) , DIMM ECC智慧的基础上
h
16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V
概述
该HSD32M72D18R是32M X 72位同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
十八CMOS 16M ×8位与TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM和2K EEPROM采用8引脚
TSSOP封装在一个168引脚的玻璃环氧树脂。一0.22uF和2 0.0022uF去耦电容器被安装在
印刷电路板平行的每个SDRAM中。该HSD32M72D18AR是一个DIMM (双列直插式内存模块),并
用于安装到168针边缘连接器插座。同步设计允许通过使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。工作频率范围,可编程
延迟允许相同的设备,以针对各种不同的高带宽是有用的,高性能的存储器系统
应用程序的所有模块组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电,所有输入和输出都
LVTTL兼容。
产品型号HSD32M72D18R
特点
部分鉴定
HSD32M72D18R :为100MHz (CL = 2, CL = 3)的
HSD32M72D18R : 133MHz的( CL = 3 )
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所用设备为4M X 8位X 4Banks SDRAM
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 ) 。
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韩光电器有限公司