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HSD32M72D18R-10 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M72D18R-10图片预览
型号: HSD32M72D18R-10
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx72bit ) ,与DIMM ECC基于16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), DIMM with ECC based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 177 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
AC运行试验条件
(VCC = 3.3V
±
0.3V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
交流输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
2.4/0.4
1.4
TR / TF = 1/1
1.4
SEE图。 2
HSD32M72D18R
单位
V
V
ns
V
+3.3V
1200Ω
D
OUT
870Ω
50pF*
V
tt
=1.4V
50Ω
v
ss
V
OH
(DC )= 2.4V时,我
OH
= -2mA
V
OL
( DC )= 0.4V时,我
OL
= 2毫安
D
OUT
Z0=50Ω
50pF
(图1 )直流输出负载电路
(图2 ) AC输出负载电路
经营AC参数
(交流工作条件,除非另有说明)
VERSION
参数
行有效至行主动延迟
/ RAS到/ CAS延时
行预充电时间
行活动时间
符号
-1H
t
RRD
(分钟)
t
RCD
(分钟)
t
RP
(分钟)
t
RAS
(分钟)
t
RAS
(最大)
t
RC
(分钟)
t
RDL
(分钟)
t
DAL
(分钟)
t
CDL
(分钟)
t
BDL
(分钟)
t
CCD
(分钟)
CAS延时= 3
的有效输出数据的数量
CAS延时= 2
1
-
70
20
20
20
50
-1L
20
20
20
50
100
70
2
2 CLK + 20纳秒
1
1
1
2
ea
4
65
-13
15
20
20
45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
-
CLK
CLK
CLK
1
2,5
5
2
2
3
1
1
1
1
单位
行周期时间
在过去的数据来行预充电
到主动延迟的最后一个数据
最后的数据到新的关口。地址的延迟
在最后的数据以突发停止
上校地址上校地址的延迟
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 ) 。
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韩光电器有限公司