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    HSD4M64B4-F10L 参数 Datasheet PDF下载

    HSD4M64B4-F10L图片预览
    型号： HSD4M64B4-F10L
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模块32Mbyte （ 4Mx64位） ， SO -DIMM ， 4Banks ， 4K参考， 3.3V [Synchronous DRAM Module 32Mbyte (4Mx64-Bit), SO-DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 存储动态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 87 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HSD4M64B4-F10L的Datasheet PDF文件第11页  
    韩光
    AC特性
    （交流工作条件，除非另有说明）
    Symbo
    参数
    L
    CLK周期时间
    CAS
    8
    latency=3
    t
    CC
    CAS
    -10
    latency=2
    CLK为有效
    输出延迟
    CAS
    6
    latency=3
    t
    SAC
    CAS
    -6
    latency=2
    输出数据
    保持时间
    CAS
    3
    latency=3
    t
    OH
    CAS
    -3
    latency=2
    CLK高脉冲宽度
    CLK低脉冲宽度
    输入建立时间
    输入保持时间
    CLK到输出中低Z
    CLK到输出
    在高阻
    CAS
    6
    latency=3
    t
    SHZ
    CAS
    -6
    latency=2
    7
    7
    6
    6
    t
    CH
    t
    CL
    t
    SS
    t
    SH
    t
    SLZ
    3
    3
    2
    1
    1
    3.5
    3.5
    3.5
    1
    1
    3
    3
    2
    1
    1
    3
    3
    3
    3
    7
    7
    7
    6
    13
    12
    1000
    1000
    1000
    10
    10
    民
    最大
    民
    最大
    民
    最大
    -8
    -10
    -L
    HSD4M64B4
    单位
    记
    ns
    1
    ns
    1,2
    ns
    2
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    3
    3
    3
    3
    3
    2
    ns
    注意事项：
    1.参数取决于编程CAS延迟。
    2.如果时钟上升时间长于1ns的， （文/ 2-0.5 ）纳秒应该被添加到该参数。
    3.假设输入的上升和下降时间（tr & TF） = 1ns的。
    如果TR & TF长于1ns的，短暂的时间补偿应该考虑，即， [ （ TR + TF ） / 2-1 ] ns的应加
    的参数。
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0(August.2002)
    韩光电器有限公司。
    -
    8
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