韩光
HSD64M64F8KA
同步DRAM模组512Mbyte （ 64Mx64bit ） ， SMM的基础上，
32Mx8 ， 4Banks ， 4K参考， 3.3V
概述
该HSD64M64F8KA是64M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
十六CMOS 32M ×8位与120引脚的玻璃环氧树脂的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM 。
一0.22uF和两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。
该HSD64M64F8KA是SMM （可堆叠式内存模块型） .Synchronous设计允许精确的周期控制
使用系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。工作频率范围内，
可编程延迟允许相同的设备，以针对各种不同的高带宽，高性能存储有用
系统应用程序的所有模块组件可以从一个单一的3.3V直流电源和所有输入供电，
输出是LVTTL兼容。
产品型号HSD64M64F8KA
特点
•
部分鉴定
HSD64M64F8KA
–
10L ： 100MHz的（CL = 3）的
HSD64M64F8KA
–
10：为100MHz （CL = 2）的
HSD64M64F8KA
–
13：为133MHz （CL = 3）
•
突发模式工作
•
自动&自我刷新能力（ 8192Cycles / 64毫秒）
•
LVTTL兼容的输入和输出
•
3.3V单电源
±0.3V
电源
•
MRS周期与解决关键程序
- 延迟（从地址栏访问）
- 突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
- 数据扰码（顺序&交错）
•
所有的输入进行采样，正持续
在系统时钟的边沿
•
该器件采用堆叠8M X 8位X 4Banks
SDRAM
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
引脚分配
60 -PIN P1连接器
符号
VCC
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VCC
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VCC
DQM4
DQM5
NC
CKE0
CKE1
VCC
NC
NC
/CS1
/CS2
VCC
针
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
DQM0
DQM1
/ WE
CLK0
CLK1
VSS
/ CAS
/ RAS
/CS1
/CS2
VSS
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
60引脚连接器P2
符号
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
DQM2
DQM3
NC
BA0
BA1
A10/AP
A0
A1
A2
A3
VSS
针
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
符号
VCC
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
VCC
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VCC
DQM6
DQM7
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VCC
网址： www.hbe.co.kr
REV 。 1.0 （ 2002年8月）
1
韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
