欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HSD8M32F4VA-10 参数 Datasheet PDF下载

HSD8M32F4VA-10图片预览
型号: HSD8M32F4VA-10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 同步DRAM模块32Mbyte ( 8M ×32位)的基础上8Mx8 , 4Banks , 4K参考SMM 。 , 3.3V [Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) SMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 存储动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 82 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
 浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD8M32F4VA-10的Datasheet PDF文件第9页  
韩光
引脚功能说明
CLK
/ CE
名字
系统时钟
芯片使能
输入功能
HSD8M32F4V/VA
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作,除了用屏蔽或使所有输入
CLK , CKE和DQM
CKE
时钟使能
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE前应进行有效的命令启用1CLK + TSS 。
A0 ~ A11
地址
行/列地址被复用在相同的针。
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA8
BA0 〜 BA1
银行选择地址
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
/ RAS
行地址选通
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
/ CAS
COLUMN
频闪
地址
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院,我们开始积极的数据。
/ WE
写使能
DQM0 〜 7
数据
面膜
输入/输出
使得数据输出高阻,时钟和面具后输出tSHZ 。
块中的数据输入时, DQM活跃。 (字节屏蔽)
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
DQ0 〜 63
VDD / VSS
数据输入/输出
动力
电源/接地
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
符号
V
IN,OUT
VCC
P
D
T
英镑
等级
-1V至4.6V
-1V至4.6V
4W
-55℃至150℃
短路输出电流
I
OS
400mA
注意事项:
如果"绝对最大Ratings"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应
仅限于在本数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大
额定条件下长时间工作会影响器件的可靠性。
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
3
韩光电器有限公司。