韩光
HSD8M32M4V
同步DRAM模块32Mbyte ( 8M ×32位) 72PIN - SIMM的基础上
16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号
HSD8M32M4V
概述
该HSD8M32M4V是8M ×32位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
4 CMOS 2M ×8位,且在安装在72引脚的TSOP -II封装4banks同步DRAM中, FR- 4印刷电路
板。两个0.01uF的去耦电容器安装在印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
HSD8M32M4V是设计了SIMM 。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O
交易可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许相同
装置可用于各种高带宽是有用的,高性能存储系统的应用程序的所有模块组件
可以从一个单一的3.3V直流电源供电,所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
•
部分鉴定
HSD8M32M4V -13 / F13 : 133MHz的(CL = 3)的
HSD8M32M4V -12 / F12: 125MHz的(CL = 3)的
HSD8M32M4V -10 / F10:为100MHz (CL = 2)的
HSD8M32M4V - 10L / 10L : 100MHz的
HSD8M32M4V - 66 / F66 : 66MHz的( CL = 2&3 )
F表示自动&自我刷新低
–
电源( 3.3V )
•
突发模式工作
•
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
•
LVTTL兼容的输入和输出
•
3.3V单电源
±0.3V
电源
•
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
•
所有的输入进行采样,正边沿
系统时钟的
•
FR4 - PCB设计
•
所使用的设备是KM48S16030AT
•
引脚分配兼容
- HSD8M32M4V
- HSD32M32M4V
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM0
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
引脚分配
符号
针
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
符号
DQ14
DQ15
DQM1
NC
/ WE
/ CAS
VCC
/ RAS
/CS0
NC
NC
CLK0
CKE0
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM2
VCC
针
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
A5
A6
A7
A8
A9
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM3
NC
A10/AP
A11
NC
VCC
BA0
BA1
NC
NC
VSS
72 -PIN SIMM TOP VIEW
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
-1-
韩光电器有限公司。