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    HSD8M32M4V 参数 Datasheet PDF下载

    HSD8M32M4V图片预览
    型号： HSD8M32M4V
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模块32Mbyte （ 8M ×32位）的基础上16Mx8 ， 4Banks ， 4K参考72PIN - SIMM 。 ， 3.3V [Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) 72pin-SIMM based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 89 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HSD8M32M4V的Datasheet PDF文件第10页  
    韩光
    HSD8M32M4V
    +3.3V
    V
    tt
    =1.4V
    1200Ω
    D
    OUT
    870Ω
    50pF*
    D
    OUT
    Z0=50Ω
    50pF
    V
    OH
    （DC ）= 2.4V时，我
    OH
    = -2mA
    V
    OL
    （ DC ）= 0.4V时，我
    OL
    = 2毫安
    （图1 ）直流输出负载电路
    （图2 ） AC输出负载电路
    50Ω
    经营AC参数
    （交流工作条件，除非另有说明）
    VERSION
    参数
    行有效至行主动延迟
    RAS到CAS延迟
    行预充电时间
    行活动时间
    符号
    -A
    t
    RRD
    （分钟）
    t
    RP
    （分钟）
    t
    RP
    （分钟）
    t
    RAS
    （分钟）
    t
    RAS
    （最大）
    TRC
    （分钟）
    单位
    -8
    16
    20
    20
    48
    100
    65
    68
    2
    2 CLK + 20纳秒
    1
    1
    1
    2
    ea
    CLK
    CLK
    CLK
    70
    70
    -H
    20
    20
    20
    50
    -L
    20
    20
    20
    50
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    CLK
    15
    20
    20
    45
    记
    1
    1
    1
    1
    行周期时间
    在过去的数据来行预充电
    到主动延迟的最后一个数据
    最后的数据到新的关口。地址的延迟
    在最后的数据以突发停止
    上校地址上校地址的延迟
    的有效输出数据的数量
    1
    2.5
    t
    RDL
    （分钟）
    t
    DAL
    （分钟）
    t
    CDL
    （分钟）
    t
    BDL
    （分钟）
    t
    CCD
    （分钟）
    CAS延时= 3
    CAS延时= 2
    -
    2
    2
    3
    4
    1
    注意事项：
    1.时钟周期的最小数目是通过分割与时钟周期时间和所需要的最小时间来确定
    然后四舍五入到下一个较大整数。
    2.最小的延迟才能完成写操作。
    3.所有部件，使每一个周期的列地址的变化。
    4.如遇行预充电中断，自动预充电和读取突发停止。
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0 （ August.2002 ）
    -6-
    韩光电器有限公司。

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