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HSD8M64D4B-10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HSD8M64D4B-10
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内容描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 8Mx64位) , DIMM , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 64Mbyte (8Mx64-Bit), DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 85 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD8M64D4B
同步DRAM模块64Mbyte ( 8Mx64位) , DIMM , 4Banks ,
4K参考, 3.3V
产品型号HSD8M64D4B
概述
该HSD8M64D4B是8M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
4 CMOS 2M ×16位与上一个168针的环氧玻璃基板的TSOP- II封装400mil 4banks同步DRAM 。
两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板平行的每个SDRAM中。该HSD8M64D4B
是一个DIMM (直插内存模块双),并适用于安装到168针边缘连接器插座。同步
设计允许与使用系统时钟的精确循环控制。 I / O事务处理可在每个时钟周期。范围
的工作频率,可编程延迟允许相同的设备,以针对各种不同的高带宽,高有用
高性能内存系统的所有应用模块组件可以从一个单一的3.3V直流电源供电
和所有输入和输出都是LVTTL兼容。
特点
部分鉴定
HSD8M64D4B-10
HSD8M64D4B- 13
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
JEDEC标准
所有的输入进行采样的系统时钟的正向沿
所使用的设备is2Mx16Bitx4Banks SDRAM
: 100MHz的(CL = 2)的
: 133MHz的(CL = 3)的
HSD8M64D4B -10L : 100MHz的(CL = 3)的
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
韩光电器有限公司
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