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型号: HSD8M64F8V
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内容描述: 同步DRAM模块64Mbyte ( 8M ×64位)的基础上8Mx8 , 4Banks , 4K参考SMM 。 , 3.3V [Synchronous DRAM Module 64Mbyte ( 8M x 64-Bit ) SMM based on 8Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 106 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD8M64F8V/VA
同步DRAM模块64Mbyte ( 8M ×64位) SMM的基础上
8Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V
产品型号HSD8M64F8V / VA
概述
该HSD8M64F8V / VA是8M ×64位的同步动态RAM的高密度内存模块。该模块由
八CMOS 2M ×8位与4banks的TSOP- II封装同步DRAM安装在一个120针,双面,
FR- 4印刷电路板。 ,两个0.1uF的去耦电容器被安装在所述印刷电路板在平行于各
SDRAM 。该HSD8M64F8V / VA是SMM (可堆叠存储器模块)的设计和适于安装成两个60-
针连接器插座。同步设计允许使用系统时钟的精确周期控制。 I / O交易
可能在每一个时钟周期。的工作频率,可编程延迟范围允许在同一个设备要
对于各种高带宽是有用的,高性能的存储器系统的应用程序的所有模块,组件可以是
供电采用3.3V单电源直流电源和所有输入和输出都是LVTTL兼容
.
特点
部分鉴定
HSD8M64F8V :
堆码高度( T = 11.3毫米)
HSD8M64F8VA :
堆码高度( T = 7.3毫米)
突发模式工作
自动&自我刷新能力( 4096周期/ 64ms的)
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±0.3V
电源
MRS周期与解决关键程序
- 延迟(从地址栏访问)
- 突发长度(1, 2,4, 8 &全页)
- 数据扰码(顺序&交错)
所有的输入进行采样,正边沿
系统时钟的
120pin SMM型FR-4 PCB设计
所使用的设备是2Mx8bitx4Banks SDRAM
引脚分配兼容
- HSD16M64F8V / VA
- HSD32M64F8V / VA
- HSD8M32F4V / VA
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符号
VCC
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VCC
DQM4
DQM5
NC
CKE0
CKE1
VCC
NC
NC
/CE2
NC
VCC
引脚分配
60 -PIN P1连接器
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符号
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VSS
DQM0
DQM1
/ WE
CLK0
CLK1
VSS
/ CAS
/ RAS
/CE0
NC
VSS
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60引脚连接器P2
符号
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VSS
DQ24
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VSS
DQM2
DQM3
NC
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符号
VCC
DQ48
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DQ55
VCC
DQ56
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DQ63
VCC
DQM6
DQM7
NC
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VCC
堆叠式内存模块TOP VIEW
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002)
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韩光电器有限公司。