韩光
HSD8M64F8V/VA
写&
COLUMN
地址
突发停止
PRECHARG
e
AUTO
关闭
AUTO
关闭
预充电
H
预充电
H
X
X
L
H
L
H
L
L
H
L
X
H
L
H
L
H
L
L
L
X
V
X
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H
X
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X
X
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L
X
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X
X
H
X
V
X
X
X
X
X
V
X
X
L
H
L
L
X
V
COLUMN
L
地址
(A0 ~ A9)
H
X
L
H
X
X
4,5
6
4
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
出口
H
H
L
H
L
H
H
时钟暂停或
主动关机
预充电
Down模式
DQM
动力
X
X
V
X
X
X
7
没有操作命令
（V =有效，X =无关，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意事项：
1. OP代码：操作数代码
A0 〜 A11 & BA0 〜 BA1 ：程序键。 （ @太太）
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新功能有相同的DRAM CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
4. BA0 〜 BA1 ：银行选择地址。
如果同时BA0和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电，银行A被选中。
如果两个BA0是"Low"和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电，选择B银行。
如果两个BA0是"High"和BA1是"Low"在读，写，行积极和预充电， C银行被选中。
如果同时BA0和BA1是"High"在读，写，行积极和预充电，银行D被选中。
如果A10 / AP是"High"于行预充电， BA0和BA1被忽略，所有的银行都被选中。
5.在突发读取或者自动预充电，无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样一个CLK和掩模数据输入在很CLK的正边沿（写入DQM延迟为0） ，
但数据超出2 CLK周期后，使Hi-Z状态。 （读DQM延迟2 ）
时序图
请参阅所附的时序图图（II）的
网址： www.hbe.co.kr
REV.1.0(August.2002)
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韩光电器有限公司。
HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
