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CA3440M 参数 Datasheet PDF下载

CA3440M图片预览
型号: CA3440M
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内容描述: 63kHz ,纳安级功耗,采用BiMOS运算放大器 [63kHz, Nanopower, BiMOS Operational Amplifiers]
分类和应用: 运算放大器
文件页数/大小: 5 页 / 80 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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CA3440
绝对最大额定值
电源电压(V +至V-) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 25V
差分输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9V
直流输入电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 (V + + 8V )至( V- -0.5V )
输入电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1毫安
输出短路持续时间(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。不知疲倦无限
热信息
热电阻(典型,注2 )
θ
JA
(
o
C / W )
SOIC封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
165
最高结温(死亡)。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
最高结温(塑料封装) 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
工作条件
温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值和运作
该设备在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件是不是暗示。
注意事项:
1.短路可应用于地面,或任一电源。
2.
θ
JA
测定用安装在评价PC板在自由空气中的分量。
电气连接特定的阳离子
参数
输入阻抗
输入电容
输出电阻
等效输入
噪声电压
短路电流
来源
到对面供应
SINK
增益带宽积
压摆率
瞬态响应
上升时间
仅用于设计指导,V典型值
供应
=
±5V,
R
SET
= 10MΩ ,T
A
= 25
o
C
符号
R
I
C
I
R
O
e
N
F = 1kHz时
F = 10kHz的
I
OM
+
I
OM
-
f
T
SR
R
L
= 10kΩ的,C
L
= 100pF的
t
R
OS
5.6
10
µs
%
R
S
= 100Ω
测试条件
CA3440
2
3.5
450
110
110
15
4.5
63
0.03
单位
TΩ
pF
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
mA
mA
千赫
V / μs的
电气连接特定的阳离子
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入电流
大信号电压增益
对于设备的设计,在V
供应
=
±5V;
R
SET
= 10MΩ ,T
A
= 25
o
C,除非另有规定编
TEST
条件
CA3440
-
-
-
R
L
= 10kΩ
10
80
典型值
5
2.5
10
100
100
100
80
+3.7
-5.3
32
90
+3.2
-3.2
10
100
4
最大
10
30
50
-
-
320
-
-
-
320
-
-
-
17
170
-
单位
mV
pA
pA
千伏/ V
dB
µV/V
dB
V
V
µV/V
dB
V
V
µA
µW
µV/
o
C
符号
|V
IO
|
| I
IO
|
| I
I
|
A
OL
CMRR
共模抑制比
-
70
共模输入电压范围
V
LCR
+
V
LCR
-
PSRR
+3.5
-5.0
-
70
电源抑制比
最大输出电压
V
OM
+
V
OM
-
I+
P
D
∆V
lO
/∆T
+3
-3
-
-
-
电源电流
设备损耗
输入失调电压温度漂移
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