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ODU CEMEN 7
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半导体
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解放军
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电话或电子邮件
CMOS的4×4交叉点
1999年2月
CD22100
开关与控制存储器
高电压型（ 20V额定值）
特点
•低导通电阻。 。 。 。 。 。 。 。 。 .75Ω （典型值），在V
DD
= 12V
• “内置”控制锁存器
•大型模拟信号功能
. . . . . . . . . . . . . . . ±V
DD
/2
• 10MHz的切换频宽
•匹配的开关特性
∆R
ON
= 18Ω （典型值） ，在
V
DD
= 12V
•高线性度 - 0.5 ％失真（典型值），在f = 1kHz时，
V
IN
= 5V
P-P
, V
DD
= 10V，和R
L
= 1kΩ
•标准CMOS的噪声抗扰性
• 100 ％测试的最大静态电流为20V
描述
CD22100结合了一个4× 4阵列的交叉点（ transmis-
锡永门）与一个4行至16线译码器和16闩锁
电路。在16传输门中的任一项（横
分）可通过施加适当的4线来选择
地址。所选择的传输门可以被打开或
断通过施加一个逻辑1或零，分别向数据
输入和选通的选通输入为逻辑1 。任何
传输门的数目可以同时为ON。
当所要求的工作功率被施加到
CD22100 ， 16个开关的状态是不确定的。
因此，所有的开关必须通过将被关闭
频闪低和高的数据，然后处理所有的交换机
在连续。
[ /标题
(CD22
100)
/子
拍摄对象
（CMO
S4x4
交
点
开关
同
CON-
TROL
MEM-
ORY
HIGH-
电压
AGE
TYPE
(20V
额定
荷兰国际集团） ）
/
作者
()
/密钥 -
WORDS
（ Har-
RIS
半
CON-
导体，
长焦附加镜
COM ，
SLIC组件，
SLACs
，长焦附加镜
手机，
订购信息
部分
数
CD22100E
CD22100F
TEMP 。 RANGE
(
o
C)
-40到85
-55至125
包
16 Ld的PDIP
16 Ld的CERDIP
PKG 。号
E16.3
F16.3
引脚
CD22100
（ PDIP ， CERDIP ）
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16 V
DD
工作原理图
频闪
7
数据
IN
2
0
1
2
3
15
Y1
X2
DATA IN
C
D
B
A
频闪
V
SS
4号线到16线解码器
15 Y1
14 Y2
13 X4
地址
12 X3
11 Y4
10 Y3
9 X1
6
A
16控制锁存器
4
5
6
7
14
Y2
5
B
10
8
9
10
11
Y3
3
C
12
13
14
15
11
Y4
4
D
9
X1
1
X2
12
X3
13
X4
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
©
1999年哈里斯公司
网络文件编号
1076.4
4-184
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
