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CD22101E 参数 Datasheet PDF下载

CD22101E图片预览
型号: CD22101E
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内容描述: CMOS 4 ×4× 2交叉点开关与控制存储器 [CMOS 4 x 4 x 2 Crosspoint Switch with Control Memory]
分类和应用: 存储开关
文件页数/大小: 13 页 / 162 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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CD22101 , CD22102
电气连接特定的阳离子
T
A
= 25
o
C
(续)
测试条件
f
IS
(千赫)
R
L
(kΩ)
V
IS
(V)
(注3)
V
DD
(V)
5
10
15
K
B
到输出, CD22102
t
PHZ ,
t
PLZ
-
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
数据进行输出, CD22101
t
PHZ ,
t
PLZ
-
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
K
A
K
B
到输出, CD22102
t
PHZ ,
t
PLZ
-
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
地址输出
CD22101 , CD22102
t
PHZ ,
t
PLZ
8
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
最小选通脉冲宽度,
CD22101
t
W
6
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
地址选通建立或保持
次, CD22101
t
苏,
t
H
9
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
选通数据保持时间,
CD22101
t
合和实业
, t
HLH
10
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
地址为K
A
和K
B
建立或保持
次, CD22102
t
SU
, t
H
-
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
最低ķ
A
K
B
脉冲宽度,
CD22102
t
W
-
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
最低ķ
A
脉冲宽度, CD22102
t
W
-
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
5
10
15
参数
传播延迟时间:高层
或低层次向高阻抗
选通输出, CD22101
符号
t
PHZ ,
t
PLZ
科幻gure
6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
450
200
135
450
200
130
450
165
110
280
130
90
425
190
130
260
120
80
-160
-70
-50
200
80
60
-160
-70
-50
375
160
110
425
175
120
最大
900
400
270
900
400
260
900
330
220
560
260
180
850
380
260
500
240
160
0
0
0
400
160
120
0
0
0
750
320
220
850
350
240
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
R
L
= 1kΩ的,C
L
= 50pF的,
t
R
, t
F
= 20ns的
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