半导体
CD4070B,
CD4077B
CMOS四路异或
和异或非门
描述
哈里斯CD4070B包含四个独立的Exclusive-
或门。哈里斯CD4077B包含四个独立的
异或非门。
该CD4070B和CD4077B提供系统设计
与直接实施异或的手段
和异或非功能，分别为。
1998年6月
特点
•高电压类型（ 20V额定值）
• CD4070B - 四异或门
• CD4077B - 四异或非门
•中速运行
- t
PHL
, t
PLH
= 65ns （典型值），在V
DD
= 10V ，C
L
= 50pF的
• 100 ％测试静态电流为20V
•标准化对称的输出特性
• 5V ， 10V和15V参数额定值
• 1μA的18V在整个最大输入电流
封装温度范围
- 为100nA ，在18V和25
o
C
•噪声余量（在整个封装温度范围）
- 1V的V
DD
= 5V ， 2V在V
DD
= 10V ， 2.5V在V
DD
= 15V
•符合JEDEC标准号13B的所有要求，
“标准的特定网络阳离子'B'系列的说明
CMOS器件
订购信息
产品型号
CD4070BE
CD4077BE
CD4070BF
CD4077BF
CD4070BM
CD4077BM
温度。
RANGE （
o
C)
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
包
14 Ld的PDIP
14 Ld的PDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的CERDIP
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
PKG 。
号
E14.3
E14.3
F14.3
F14.3
M14.15
M14.15
应用
•逻辑比较
•加法器/减法
•奇偶校验发生器和校验器
引脚配置
CD4070B
（ PDIP ， CERDIP和SOIC ）
顶视图
CD4077B
（ PDIP ， CERDIP和SOIC ）
顶视图
A 1
B 2
J- á
⊕
B 3
K = ç
⊕
D 4
C 5
D 6
V
SS
7
14 V
DD
13 H
12 G
M为11 = G
⊕
H
10升= E
⊕
F
9 F
8 E
A 1
B 2
J- á
⊕
B 3
K = ç
⊕
D 4
C 5
D 6
V
SS
7
14 V
DD
13 H
12 G
M为11 = G
⊕
H
10升= E
⊕
F
9 F
8 E
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的IC处理程序。
版权
©
1998年哈里斯公司
网络文件编号
910.1
1
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
