性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø ř
HGTG30N60C3D
63A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
包
JEDEC风格-247
E
C
G
1995年8月
特点
•
•
•
•
•
63A ， 600V在T
C
= +25
o
C
典型的下降时间 - 230ns在T
J
= +150
o
C
短路额定值
低传导损耗
超快反并联二极管
描述
该HGTG30N60C3D是MOS门控高压开关
设备相结合的MOSFET和双极性的最佳功能
晶体管。该装置具有一MOSFET导的高输入阻抗
场效应晶体管和双极晶体管的低导通状态的导通损耗。
在低得多的通态压降变化只是适度
+25之间
o
C和+150
o
C.使用的IGBT的发展
类型TA49051 。用在反并联IGBT的二极管是
开发类型TA49053 。
该IGBT ，非常适合许多高电压开关应用
在中等频率要求低导通工作
损耗是必不可少的。
包装供货情况
产品型号
HGTG30N60C3D
包
TO-247
BRAND
G30N60C3D
E
端子图
N沟道增强模式
C
G
注：订货时，使用整个零件编号。
以前发育类型TA49014 。
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTG30N60C3D
600
63
30
25
252
±20
±30
60A电压为600V
208
1.67
-40到+150
260
4
15
单位
V
A
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
µs
µs
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= +25
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= +110
o
C. 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
二极管的平均正向电流为110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
（ AVG）
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
栅极 - 发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
栅极 - 发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= +150
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .SSOA
功耗总在T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 15V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。吨
SC
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2. V
CE （ PK ）
= 360V ，T
J
= +125
o
C，R
GE
= 25Ω.
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,417,385
4,430,792
4,443,931
4,466,176
4,516,143
4,532,534
4,567,641
4,587,713
4,598,461
4,605,948
4,618,872
4,620,211
4,631,564
4,639,754
4,639,762
4,641,162
4,644,637
4,682,195
4,684,413
4,694,313
4,717,679
4,743,952
4,783,690
4,794,432
4,801,986
4,803,533
4,809,045
4,809,047
4,810,665
4,823,176
4,837,606
4,860,080
4,883,767
4,888,627
4,890,143
4,901,127
4,904,609
4,933,740
4,963,951
4,969,027
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
©
哈里斯公司1995年
网络文件编号
4041
1
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
