性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø ř
HGTD3N60C3,
HGTD3N60C3S
6A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT的
描述
该HGTD3N60C3和HGTD3N60C3S是MOS门高
相结合的最佳功能电压开关设备
MOSFET和双极型晶体管。这些设备具有
MOSFET的高输入阻抗和低的导通状态CON-
duction损失双极晶体管。在低得多的国家
压降变化只是适度的25
o
C和
150
o
C.
该IGBT适用于多种高压开关
在中等频率工作的应用中，低
导通损耗是必不可少的，如：交，直流电动机
控制，电源和驱动电磁阀，继电器
和接触。
以前发育类型TA49113 。
1997年6月
特点
• 6A ， 600V在T
C
= 25
o
C
• 600V开关SOA能力
•典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为130ns在T
J
= 150
o
C
•短路额定值
•低传导损耗
订购信息
产品型号
HGTD3N60C3
HGTD3N60C3S
包
TO-251AA
TO-252AA
BRAND
G3N60C
G3N60C
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 252AA变种在磁带和卷轴，即
HGTD3N60C3S9A.
符号
N沟道增强模式
C
G
E
包装
JEDEC TO- 251AA
辐射源
集热器
门
集热器
（法兰）
门
辐射源
集热器
（法兰）
JEDEC TO- 252AA
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4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
©
1997年哈里斯公司
网络文件编号
4139.3
1
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
