性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø ř
HGTP12N60C3 ， HGT1S12N60C3 ，
HGT1S12N60C3S
24A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT的
描述
该HGTP12N60C3 ， HGT1S12N60C3和HGT1S12N60C3S
是MOS门控结合高电压开关设备
MOSFET和双极型晶体管的最佳特性。这些
装置具有一MOSFET，并且所述的高输入阻抗
低的导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。备受
较低的通态压降变化只是适度的
25
o
C和150
o
C.
该IGBT ，非常适合许多高电压开关应用
在中等频率上低传导损耗操作
是必不可少的，如：交直流马达控制，电源支持
层和驱动电磁阀，继电器和接触器。
1997年1月
特点
• 24A ， 600V在T
C
= 25
o
C
• 600V开关SOA能力
•典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 230ns在T
J
= 150
o
C
•短路额定值
•低传导损耗
订购信息
产品型号
HGTP12N60C3
HGT1S12N60C3
HGT1S12N60C3S
包
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
P12N60C3
S12N60C3
S12N60C3
端子图
N沟道增强模式
C
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，也就是说，
HGT1S12N60C3S9A.
以前发育类型TA49123 。
G
E
包装
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
门
集热器
（法兰）
JEDEC TO- 262AA
辐射源
集热器
门
集热器
（法兰）
A
JEDEC TO- 263AB
M
A
A
集热器
（法兰）
门
辐射源
哈里斯半导体IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
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4,417,385
4,598,461
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4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
©
1997年哈里斯公司
网络文件编号
4040.3
3-29
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
