性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø ř
HGTP3N60C3D ， HGT1S3N60C3D ，
HGT1S3N60C3DS
6A ， 600V ， UFS系列N沟道IGBT
与反并联二极管超高速
包装
JEDEC TO- 220AB
辐射源
集热器
门
收集器（法兰）
1997年1月
特点
• 6A ， 600V在T
C
= 25
o
C
• 600V开关SOA能力
•典型的下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。为130ns在T
J
= 150
o
C
•短路额定值
•低传导损耗
•超高速反并联二极管
描述
该HGTP3N60C3D ， HGT1S3N60C3D和HGT1S3N60C3DS
是MOS门控结合高电压开关设备
MOSFET和双极型晶体管的最佳特性。这些
装置具有一MOSFET，并且所述的高输入阻抗
低的导通状态的导通损耗的双极型晶体管构成。备受
较低的通态压降变化只是适度的
25
o
C和150
o
C.使用的IGBT是发展型
TA49113 。用在反并联IGBT的二极管是
开发类型TA49055 。
该IGBT ，非常适合许多高电压开关应用
在中等频率上低传导损耗操作
是必不可少的。
包装供货情况
产品型号
HGTP3N60C3D
HGT1S3N60C3D
HGT1S3N60C3DS
包
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
G3N60C3D
G3N60C3D
G3N60C3D
JEDEC TO- 262AA
集热器
（法兰）
A
辐射源
集热器
门
JEDEC TO- 263AB
M
A
A
集热器
（法兰）
门
辐射源
端子图
N沟道增强模式
C
注：订货时，使用整个零件编号。添加SUF科幻X 9A至
获得TO- 263AB变种在磁带和卷轴，即HGT1S3N60C3DS9A 。
以前发育类型TA49119 。
G
E
绝对最大额定值
T
C
= 25
o
C，除非另有规定编
HGTP3N60C3D ， HGT1S3N60C3D
HGT1S3N60C3DS
600
6
3
24
±20
±30
18A 480V时
33
0.27
-40至150
260
8
单位
V
A
A
A
V
V
W
W/
o
C
o
C
o
C
µs
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .BV
CES
连续集电极电流
在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C25
在T
C
= 110
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C110
集电极电流脉冲（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
栅极 - 发射极电压连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GES
栅极 - 发射极电压脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
创业板
开关安全工作区在T
J
= 150
o
C，图。 14 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 SSOA
功耗总在T
C
= 25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
功耗降额牛逼
C
＆ GT ; 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
工作和存储结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
J
, T
英镑
最大无铅焊接温度的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
短路耐受时间（注2） V
GE
= 10V，图6 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .T
SC
注意事项：
1.重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2.
V
CE （ PK ）
= 360V ，T
J
= 125
o
C，R
GE
= 82Ω
.
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
©
1997年哈里斯公司
网络文件编号
4140.1
3-9
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
