特定网络阳离子HI- 5040系列
电气连接特定的阳离子
耗材= + 15V ， -15V ; V
R
= 0V; V
AH
（逻辑高电平） = 2.4V ，V
AL
（逻辑低电平） = + 0.8V ，V
L
= +5V,
除非另有规定ED 。对于测试条件，参考性能特点，不使用引脚
被接地。 （续）
TEST
条件
-55
o
C至+ 125
o
C
温度
+25
o
C
满
电源要求
P
D
，静态功耗
I+, I-, I
L
, I
R
我+ ， + 15V静态电流
I-， -15V静态电流
I
L
， + 5V静态电流
I
R
，地面静态电流
注意事项：
1. V
OUT
=
±10V,
I
OUT
= 1毫安
A） 。对于HI- 5040直通HI- 5047
B）。对于HI- 5048直通HI- 5051 ， HI - 5046a中/ 5047A 。
2. V
IN
= 0V ，C
L
= 10,000pF 。
3. R
L
= 100Ω ， F = 100kHz时，V
IN
= 2.0V
P-P
, C
L
= 5pF的。
4. V
AL
= 0V, V
AH
= 5V.
（注4 ）
（注4 ）
（注4 ）
（注4 ）
+25
o
C
+25
o
C
满
满
满
满
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
0.2
0.3
0.3
0.3
0.3
-
-
-
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
0.3
0.5
0.5
0.5
0.5
mW
mA
mA
mA
mA
mA
民
-
-
典型值
0.01
2
最大
2
200
民
-
-
0
o
C至+75
o
C
典型值
0.01
2
最大
2
200
单位
nA
nA
参数
I
D（上）
，泄漏电流
开关波形
输入
输入
产量
产量
上图： TTL输入（ 1V / DIV）
V
AH
= 5V, V
AL
= 0V
下图：输出（ 2V / DIV）
水平： 200纳秒/格。
图1 。
上图： CMOS输入（ 5V / DIV）
V
AH
= 10V, V
AL
= 0V
下图：输出（ 5V / DIV）
水平： 200纳秒/格。
图2中。
9-115
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
