性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø ř
HS-82C37ARH
抗辐射CMOS高
高性能可编程DMA控制器
描述
Harris的HS- 82C37ARH是增强，辐射
加固的CMOS版本的行业标准的8237A
直接存储器访问（ DMA）控制器，使用所制造的
哈里斯硬化音响场，自对准硅栅CMOS
流程。该HS- 82C37ARH提供了更多的功能，
改进的性能，并显着地降低了功率
消费对辐射的环境。高速，
抗辐射，以及行业标准CON组fi guration
在HS- 82C37ARH使其与辐射兼容
硬化的微处理器，如HS- 80C85RH和
在HS- 80C86RH 。
在HS- 82C37ARH可以提高系统的性能
允许外部设备直接传输数据或从
系统内存。内存到内存的传输能力
还提供，伴随着一个存储器块的初始化
功能。 DMA请求可以由生成
硬件或软件，并且每个信道是独立地
编程具有多种功能灵活的
操作。
静态CMOS电路设计，确保低操作功率和
可门控时钟工作的进一步减少
力。多模可编程性允许用户选择
从三种基本类型的DMA服务和侦察组fi guration
在程序控制下是可能的，即使在时钟的
控制器停止。每个通道都有一个完整的64K地址，
字计数范围，并且可以被编程为autoinitialize
这些寄存器的DMA之后终止（结束进程） 。
哈里斯硬科幻场CMOS工艺的结果
性能等于或大于现有的辐射电阻
坦产品的功率的一小部分。
1995年8月
特点
•抗辐射
- 总剂量>10
5
RAD （SI ）
- 瞬态翻转> 10
8
RAD （SI ） / S
- 闭锁免费EPI -CMOS
•低功耗
- IDDSB = 50μA最大
- IDDOP = 4.0毫安/ MHz最大
•引脚兼容NMOS 8237A和哈里斯
82C37A
•高速数据传输速率为2.5 Mbps的5MHz的
时钟
•四个独立的可屏蔽通道Autoinitializa-
化能力
•可扩展到任何通道数
•内存到内存的传输能力
• CMOS兼容
•硬化现场，自对准，结隔离CMOS
过程
•单5V电源
•军用温度范围-55
o
C至+ 125
o
C
订购信息
产品型号
HS1-82C37ARH-Q
HS1-82C37ARH-8
HS1-82C37ARH-Sample
HS9-82C37ARH-Q
HS9-82C37ARH-8
HS9-82C37ARH/Sample
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
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C至+ 125
o
C
+25
o
C
40铅SBDIP
40铅SBDIP
40铅SBDIP
42铅陶瓷扁平
42铅陶瓷扁平
42铅陶瓷扁平
包
注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的I.C.处理程序。
版权
©
哈里斯公司1995年
规格编号
网络文件编号
1
518058
3042.1
DB NA
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
