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IRF513 参数 Datasheet PDF下载

IRF513图片预览
型号: IRF513
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内容描述: 4.9A , 5.6A和, 80V和100V , 0.54和0.74 Ohm的N通道功率MOSFET [4.9A, and 5.6A, 80V and 100V, 0.54 and 0.74 Ohm, N-Channel Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 71 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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半导体
IRF510 , IRF511 ,
IRF512 , IRF513
4.9A , 5.6A和, 80V和100V , 0.54和0.74欧姆,
N沟道功率MOSFET
描述
这些都是N沟道增强型硅栅
电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
的MOSFET设计,测试并保证能经受
能在雪崩击穿特定模式网络版水平
的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
应用,如开关稳压器,开关转换
器,电机驱动器,继电器驱动器,驱动器和高功率
双极开关晶体管需要高速和低
栅极驱动电源。这些类型可以直接从被操作
集成电路。
以前发育类型TA17441 。
1998年1月
特点
• 4.9A , 5.6A和, 80V和100V
• r
DS ( ON)
= 0.54Ω和0.74Ω
•单脉冲能量额定雪崩
• SOA是功耗有限公司
•纳秒的开关速度
•线性传输特性
•高输入阻抗
•相关文献
- TB334 “指南焊锡表面贴装
组件到PC板“
符号
D
订购信息
产品型号
IRF510
IRF511
IRF512
IRF513
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
IRF510
IRF511
IRF512
IRF513
G
S
注:订购时,包括整个零件编号。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏极(法兰)
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
©
1997年哈里斯公司
网络文件编号
1573.2
5-1