性S E M I C 0 N D ü （C T） Ø ř
RFP30N06LE ， RF1S30N06LE ，
RF1S30N06LESM
30A ， 60V ， ESD额定额定雪崩，逻辑电平
N沟道增强型功率MOSFET
套餐
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
1995年7月
特点
• 30A ， 60V
• r
DS （ ON）
= 0.047Ω
• 2kV的ESD保护
•
温度补偿
PSPICE模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
漏
（法兰）
JEDEC TO- 262AA
描述
该RFP30N06LE ， RF1S30N06LE和RF1S30N06LESM
是N沟道功率MOSFET使用制
MegaFET过程。该方法中，其中使用特征尺寸
接近LSI集成电路给出最佳
利用硅，保证了出色的性能。
它们被设计用于的应用，如开关
荷兰国际集团稳压器，开关转换器，电机驱动器和继电器
驱动程序。这些晶体管可以直接从英特进行操作
磨碎电路。
这些晶体管集成ESD保护，并且
设计成能承受的ESD 2kV的（人体模型） 。
包装可用性
产品型号
RFP30N06LE
RF1S30N06LE
RF1S30N06LESM
包
TO-220AB
TO-262AA
TO-263AB
BRAND
F30N06LE
1S30N06L
1S30N06L
G
漏
（法兰）
A
来源
漏
门
JEDEC TO- 263AB
M
A
A
漏
（法兰）
门
来源
符号
D
注：订货时请使用整个零件编号。添加SUF网络连接X， 9A ，以
获得TO- 263的变体，磁带和卷轴，即RF1S30N06LESM9A 。
以前发育类型TA49027 。
S
绝对最大额定值
T
C
= +25
o
C
RFP30N06LE ， RF1S30N06LE ，
RF1S30N06LESM
单位
V
V
V
A
漏源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
DSS
漏栅极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
DGR
栅源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
GS
漏电流
RMS连续。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
D
漏电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
DM
脉冲雪崩额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ê
AS
功耗
T
C
= +25
o
温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
减免上述25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
静电放电额定值， MIL -STD- 883 ， B类（ 2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ESD
工作和存储温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
英镑
, T
J
的信息为10秒焊接温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。牛逼
L
版权
60
60
+10, -8
30
是指峰值电流曲线
参见UIS曲线
96
0.645
2
-55到+175
260
W
W/
o
C
kV
o
C
o
C
©
哈里斯公司1995年
5-45
网络文件编号
3629.1
HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
