性S E M I C 0 N D ü (C T) Ø ř
RFD10P03L , RFD10P03LSM ,
RFP10P03L
10A , 30V , 0.200Ω ,逻辑电平
P沟道功率MOSFET
描述
这些产品是P沟道功率MOSFET的制造
捕获的原始图像采用MegaFET过程。这个过程中,它使用
特征尺寸接近LSI电路,使opti-
妈妈利用硅,保证了出色的perfor-
曼斯。它们被设计用于的应用,如
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
和继电器驱动器。这些晶体管可以直接操作
从集成电路。
1997年5月
特点
• 10A , 30V
• r
DS ( ON)
= 0.200Ω
•
温度补偿
PSPICE模型
• PSPICE热模型
•峰值电流与脉冲宽度曲线
• UIS额定值曲线
• 175
o
C的工作温度
符号
订购信息
产品型号
RFD10P03L
RFD10P03LSM
RFP10P03L
包
TO-251AA
TO-252AA
TO-220AB
BRAND
10P03L
10P03L
F10P03L
G
D
S
注:订货时,使用整个零件编号。添加SUF网络连接X, 9A ,
以得到
TO-252AA
变种在磁带和卷轴,即
RFD10P03LSM9A..
以前发育类型TA49205 。
包装
JEDEC TO- 220AB
来源
漏
门
漏极(法兰)
漏极(法兰)
JEDEC TO- 251AA
来源
漏
门
JEDEC TO- 252AA
漏极(法兰)
门
来源
注意:这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
版权
©
1997年哈里斯公司
网络文件编号
3515.1
1