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RFP30N06LE 参数 Datasheet PDF下载

RFP30N06LE图片预览
型号: RFP30N06LE
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内容描述: 30A , 60V , ESD额定额定雪崩,逻辑电平N沟道增强型功率MOSFET [30A, 60V, ESD Rated, Avalanche Rated, Logic Level N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 6 页 / 95 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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RFP30N06LE , RF1S30N06LE , RF1S30N06LESM
典型性能曲线
100
I
AS
,雪崩电流( A)
起始物为
J
= +25
o
C
起始物为
J
= +150
o
C
(续)
10
如果R = 0
t
AV
= (L)(我
AS
) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
)
若R
0
t
AV
= ( L / R) LN [(我
AS
* R ) / ( 1.3 *额定BV
DSS
- V
DD
) +1]
1
0.01
0.1
1
10
t
AV
,一次雪崩(毫秒)
图13.非钳位感应开关
测试电路和波形
V
DS
t
P
L
I
AS
异吨
P
获得
所需的峰值I
AS
V
GS
R
G
-
+
BV
DSS
V
DS
V
DD
V
DD
0V
t
P
DUT
I
L
0.01Ω
t
AV
图14.松开能源利用检测电路
图15.松开能源波形
V
DD
R
L
V
DS
V
DS
V
GS
t
ON
t
D(上)
t
R
90%
t
关闭
t
D(关闭)
t
F
90%
10%
10%
90%
0V
R
GS
V
GS
50%
脉冲宽度
50%
DUT
10%
图16.电阻开关测试电路
图17.电阻开关波形
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