2SK1952
硅N沟道MOS FET
应用
高速电源开关
TO–220FM
特点
低导通电阻
高速开关
低驱动电流
4 V栅极驱动器可以驱动
5 V电源
•适用于开关稳压器，直流 - 直流
变流器
•雪崩额定值
•
•
•
•
2
1
2 3
1
1.门
2.漏
3.源
3
表1绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
*
I
DR
I
AP
***
E
AR
***
PCH **
总胆固醇
TSTG
评级
60
±20
40
160
40
40
137
35
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
———————————————————————————————————————————
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———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
———————————————————————————————————————————
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*
PW
≤
10微秒，占空比
≤
1 %
**
在Tc值= 25°C
***
在总胆固醇值= 25 ° C， RG
≥
50
Ω
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