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    1SS106 参数 Datasheet PDF下载

    1SS106图片预览
    型号： 1SS106
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    内容描述： 硅肖特基二极管适用于各种探测器，高速开关 [Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching]
    分类和应用： 整流二极管肖特基二极管开关
    文件页数/大小： 5 页 / 29 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号1SS106的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1SS106的Datasheet PDF文件第3页浏览型号1SS106的Datasheet PDF文件第4页浏览型号1SS106的Datasheet PDF文件第5页  
    1SS106
    Absolute Maximum Ratings
    (Ta = 25°C)
    Item
    Reverse voltage
    Average rectified current
    Junction temperature
    Storage temperature
    Symbol
    V
    R
    I
    O
    Tj
    Tstg
    Value
    10
    30
    125
    –55 to +125
    Unit
    V
    mA
    °C
    °C
    Electrical Characteristics
    (Ta = 25°C)
    Item
    Forward current
    Reverse current
    Capacitance
    Rectifier efficiency
    ESD-Capability
    Notes: 1.
    *1
    Symbol
    I
    F
    I
    R
    C
    η
    —
    Min
    4.5
    —
    —
    70
    100
    Typ
    —
    —
    —
    —
    —
    Max
    —
    70
    1.5
    —
    —
    Unit
    mA
    µA
    pF
    %
    V
    Test Condition
    V
    F
    = 1V
    V
    R
    = 6V
    V
    R
    = 1V, f = 1MHz
    Vin = 2Vrms, f = 40MHz, R
    L
    = 5kΩ,
    C
    L
    = 20pF
    C = 200pF, Both forward and
    reverse direction 1 pulse.
    Failure criterion; I
    R
    ≥
    140µA at V
    R
    = 6V
    2

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