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    2SJ222 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ222图片预览
    型号： 2SJ222
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    内容描述： 硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 37 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ222的Datasheet PDF文件第6页  
    2SJ222
    Absolute Maximum Ratings
    (Ta = 25°C)
    Item
    Drain to source voltage
    Gate to source voltage
    Drain current
    Drain peak current
    Body to drain diode reverse drain current
    Channel dissipation
    Channel temperature
    Storage temperature
    Notes: 1. PW
    ≤
    10
    µs,
    duty cycle
    ≤
    1%
    2. Value at T
    C
    = 25°C
    Symbol
    V
    DSS
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D(pulse)
    *
    1
    I
    DR
    Pch*
    2
    Tch
    Tstg
    Ratings
    –100
    ±20
    –20
    –80
    –20
    35
    150
    –55 to +150
    Unit
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    2

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