2SK1859 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK1859
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用：	晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小：	6 页 / 35 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SK1859

Power vs. Temperature Derating

Channel Dissipation Pch (W)

Drain Current I

(A)

0.3

0.1

0.05

100

150

100

300

1000

Case Temperature Tc (°C)

Drain to Source Voltage V

(V)

Maximum Safe Operation Area

on is on)

at ea (

r r

pe s a R

O hi y

n ed b

tio

lim

)

°C

)

Ta = 25°C

Normalized Transient Thermal Impedance

s (t)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

D=1

0.5

0.3

0.1

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

θch

– c(t) =

s(t).

ch – c

ch – c = 2.08°C/W, Tc = 25°C

0.03

0.01

10 µ

Pul

hot

100 µ

10 m

100 m

Pulse Width PW (S)

IC37:专业IC行业平台

专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

网站导航 Datasheet资料库电子术语电子百科

服务中心 常见问题委托交易会员服务

关于我们 公司简介联系我们免责申明

产品索引：A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

深圳网络警察报警平台公共信息安全网络监察经营性网站备案信息不良信息举报中心工商网监电子标识全国公安机关备案