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    2SK2737 参数 Datasheet PDF下载

    2SK2737图片预览
    型号： 2SK2737
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    内容描述： 硅N沟道MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 开关电源开关
    文件页数/大小： 9 页 / 50 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK2737的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK2737
    Reverse Drain Current vs.
    Source to Drain Voltage
    100
    Reverse Drain Current I
    DR
    (A)
    10 V
    5V
    60
    V
    GS
    = 0, –5 V
    80
    40
    20
    Pulse Test
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    Source to Drain Voltage
    V
    SD
    (V)
    Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
    3
    Normalized Transient Thermal Impedance
    g
    s (t)
    Tc = 25°C
    1
    D=1
    0.5
    0.3
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    1
    0.0
    q
    ch – c(t) =
    g
    s (t) •
    q
    ch – c
    q
    ch – c = 4.17 °C/W, Tc = 25 °C
    PDM
    D=
    PW
    T
    0.03
    PW
    T
    0.01
    10 µ
    1s
    pu
    ot
    h
    lse
    100 µ
    1m
    10 m
    100 m
    Pulse Width PW (S)
    1
    10
    6

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