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    HAT1020R 参数 Datasheet PDF下载

    HAT1020R图片预览
    型号： HAT1020R
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅P沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon P Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
    分类和应用： 开关电源开关
    文件页数/大小： 10 页 / 57 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HAT1020R的Datasheet PDF文件第10页  
    HAT1020R
    Reverse Drain Current vs.
    Source to Drain Voltage
    –20
    Pulse Test
    Reverse Drain Current I
    DR
    (A)
    –16
    V
    GS
    = –5 V
    –12
    –8
    0, 5 V
    –4
    0
    –0.4
    –0.8
    –1.2
    –1.6
    –2.0
    Source to Drain Voltage
    V
    SD
    (V)
    Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
    10
    Normalized Transient Thermal Impedance
    γ
    s (t)
    1
    D=1
    0.5
    0.2
    0.1
    0.1
    0.05
    0.02
    0.01
    0.01
    θ
    ch – f(t) =
    γ
    s (t) •
    θ
    ch – f
    θ
    ch – f = 83.3 °C/W, Ta = 25 °C
    When using the glass epoxy board
    (FR4 40x40x1.6 mm)
    e
    uls
    PDM
    PW
    T
    0.001
    o
    1sh
    D=
    tp
    PW
    T
    0.0001
    10 µ
    100 µ
    1m
    10 m
    100 m
    1
    10
    100
    1000
    10000
    Pulse Width PW (S)
    6

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